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Extracting Bare Die
取晶：以化学腐蚀的方法将晶粒（die）从封装中取出，以利下一步拍照评估，层次去除或其他分析的进行。 拍照评估：取晶后将晶粒置于显微镜下，初步观察测量工艺制程（线宽，Metal层数和Poly层数），拍出芯片上层概貌 图，给出建议拍照倍率，整合上述内容生成评估报告。如需更为精确的评估报告，需在取晶后进一步去层至poly层，方 可给出。

芯片概貌图例（注：下图与真实工程图相比，已等比缩小至原概貌图10～20%左右）
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